چکیده:
این مقاله مربوط به عملکرد لوله‌های نانوکربنی ترانزیستور اثر فیلد (CNTFET) در حضور CNT های غیر رسوبی به عنوان نقص می‌باشد. یک تجزیه و تحلیل مبتنی بر شبیه‌ سازی تنزل تأخیر به دلیل ویژگی‌های مختلف (مانند کایرالیتی و توزیع CNT معیوب) از ابتدا دنبال شده است. دو راه حل برای کاهش تغییر در تأخیر ارائه شده است. این روش ها بر تنظیم عرض دروازه CNTFET توسط لیتوگرافی (و از بین بردن CNT ها) به عنوان بخشی از فرآیند ساخت استوار شده است. این دو روش، تأخیر متوسط و انحراف آن را به ترتیب، کاهش می‌دهد. سپس، تجزیه و تحلیل تأخیر در قالب احتمالات ارائه شد. عملکرد دو روش تنظیم پیشنهادی توسط ویژگی‌های CNT (مانند کایرالیتی و توزیع نقص)، شبیه‌سازی و روش‌های مبتنی بر احتمالات، مورد بررسی قرار گرفته است. توسط شبیه‌سازی قطعی (احتمالاتی)، اولین روش، به طور متوسط تأخیر را در حدود 6.968% (7.811%) کاهش می‌دهد؛ در حالی که انحراف، در حدود 32.444% (9.788%) افزایش (کاهش) می‌یابد. روش دوم، قطعی (احتمالاتی) به طور متوسط، انحراف را در حدود 44.159% (47.476%) با 2.166% (4.409%) کاهش تأخیر، می‌کاهد.
کلمات کلیدی: مدل‌سازی نقص، CNT ،CNTFET، تولید، تکنولوژی‌ های نوظهور

فهرست مطالب:
چکیده
کلمات کلیدی
مقدمه
2. مروری بر CNTFET
3. تجزیه و تحلیل تأخیر توسط N-CD و P-CD
4. تجزیه و تحلیل احتمالاتی تأخیر
5. تأخیر و کایرالیتی
6. تنظیم پهنای گیت
7. تنظیم برای انحراف تأخیر کاهش یافته
8. نتیجه‌گیری

---

برچسب ها: مقاله تأخیرCNTFET مقاله CNT های غیر رسوبی تنظیم عرض دروازه ورودی بررسی مدل‌سازی نقص بررسی CNT پروژه بررسی CNTFET تکنولوژی‌های نوظهور بررسی تأخیر CNTFET با CNT های غیر رسوبی تأخیر CNTFET با تنظیم عرض دروازه ورودی

مناسب جهت استفاده دانشجویان رشته برق و الکترونیک

در قالب فایل word و قابل ویرایش